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Plessey开发2.5微米Micro LED显示屏
时间:2019-9-25

来源:中国数字视听网

 

英国硅基氮化镓(GaN-on-Si)专家Plessey宣布开发了一个创纪录的2.5μm超高分辨率MicroLED显示屏,用于可穿戴AR/VR设备。

Plessey一直致力于将Micro LED技术导入AR/VR显示应用,本次采用了其专有的单片集成硅基氮化镓技术,在2.5μm间距上创造了超精细、超高分辨率(2000×2000)的显示屏,具备高亮度和高对比度等优点,且在室外环境下观看舒适。相比传统 LCOS 或 DLP 显示屏,此款Micro LED显示屏仅消耗20%的能量。

据了解,硅基氮化镓技术具备很多优点。如:硅衬底的低热阻性提高了热提取效率,从而降低结温,增强可靠性。该技术可提供卓越的能效、高分辨率及无可超越的对比度。因其与大规模硅集成电路工艺相似,硅基氮化镓技术可以扩展到逐渐增大的晶圆,改善成本、提高一致性和良率。

事实上,Plessey已通过单片集成Micro LED技术获得了其它技术突破。

今年3月,该公司宣布采用原本发出蓝光的硅基氮化镓开发出天然绿色LED。天然绿色LED是由GaN-on-Si外延生长工艺形成,与天然蓝色LED类似,主要区别在于LED的量子阱结构中的铟含量。

5月,Plessey在2019年 SID Display Week上展出了首个单片集成硅基氮化镓Micro LED显示屏,由间距8μm的单色全高清(1920x1080)电流驱动像素阵列组成。

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